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BDW47中文资料

BDW47图片

BDW47外观图

  • 大小:193.94KB
  • 厂家:TD
  • 描述:Dated : 17/09/2016 Rev: 01 TOP DYNAMIC BDW47 PNP Silicon Planar Darlington Power Transistor General purpose and low speed switching application Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage -V CEO 100 V Collector Base Voltage -V CBO 100 V Emitter Base Voltage -V EBO 5 V Collector Current – Continuous -I C 15 A Base Currentt -I B 0.5 A Total Power Dissipation @ T C = 25 O C Derate above 25 O C P tot 85 0.68 W W/ O C Thermal Resistance, Junction to Case R θJC 1.47 O C/W Operating and Storage Junction Temperature Range T J , T s -55 to +150 O C TO-220 Plastic Package
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):15A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 50mA,10A
  • 电流 - 集电极截止(最大):2mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):1000 @ 5A,4V
  • 功率 - 最大:85W
  • 频率 - 转换:4MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件
  • 其它名称:BDW47OS

BDW47供应商

更新时间:2023-01-13 06:26:11
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